MSCSM70VR1M10CT3AG
MOSFET 2N-CH 700V 241A
MSCSM70VR1M10CT3AG Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Chassis Mount
Поставщик Устройство Корпус：
-
FET Особенности：
-
Корпус：
Module
Рабочая температура：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Технология：
Silicon Carbide (SiC)
Конфигурация：
2 N Channel (Phase Leg)
Напряжение сток-исток (Vdss)：
700V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
9.5mOhm @ 80A, 20V
Vgs(th) (макс.) при Id：
2.4V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
430nC @ 20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
9000pF @ 700V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
241A (Tc)
Мощность - Максимальная：
690W (Tc)
