MSCSM120HRM311AG
MOSFET 4N-CH 1200V/700V 89A
MSCSM120HRM311AG Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Chassis Mount
Поставщик Устройство Корпус：
-
FET Особенности：
-
Корпус：
Module
Рабочая температура：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Технология：
Silicon Carbide (SiC)
Конфигурация：
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Напряжение сток-исток (Vdss)：
1200V (1.2kV), 700V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
89A (Tc), 124A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
31mOhm @ 40A, 20V, 19mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (макс.) при Id：
2.8V @ 3mA, 2.4V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
232nC @ 20V, 215nC @ 20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
3020pF @ 1000V, 4500pF @ 700V
Мощность - Максимальная：
395W (Tc), 365W (Tc)
