MSCSM70XM75CTYZBNMG
MOSFET 6N-CH 700V 31A
MSCSM70XM75CTYZBNMG Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Chassis Mount
Поставщик Устройство Корпус：
-
FET Особенности：
-
Рабочая температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Корпус：
Module
Конфигурация：
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Технология：
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss)：
700V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
31A (Tc), 52A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
75mOhm @ 20A, 20V, 44mOhm @ 30A, 20V
Vgs(th) (макс.) при Id：
2.4V @ 1mA, 2.7V @ 2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
56nC @ 20V, 99nC @ 20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
1175pF @ 700V, 2010pF @ 700V
Мощность - Максимальная：
90W (Tc), 141W (Tc)
