MSCSM120HRM08NG
MOSFET 4N-CH 1200V/700V 317A
MSCSM120HRM08NG Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Chassis Mount
Поставщик Устройство Корпус：
-
FET Особенности：
-
Корпус：
Module
Рабочая температура：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Технология：
Silicon Carbide (SiC)
Конфигурация：
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Напряжение сток-исток (Vdss)：
1200V (1.2kV), 700V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
317A (Tc), 227A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
7.8mOhm @ 160A, 20V, 9.5mOhm @ 80A, 20V
Vgs(th) (макс.) при Id：
2.8V @ 12mA, 2.4V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
928nC @ 20V, 430nC @ 20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
12100pF @ 1000V, 9000pF @ 700V
Мощность - Максимальная：
1.253kW (Tc), 613W (Tc)
