MSCSM170HRM233AG
MOSFET 4N-CH 1700V/1200V 124A
MSCSM170HRM233AG Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Chassis Mount
Поставщик Устройство Корпус：
-
FET Особенности：
-
Корпус：
Module
Рабочая температура：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Технология：
Silicon Carbide (SiC)
Конфигурация：
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Напряжение сток-исток (Vdss)：
1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
124A (Tc), 89A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
22.5mOhm @ 60A, 20V, 31mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (макс.) при Id：
3.2V @ 5mA, 2.8V @ 3mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
356nC @ 20V, 232nC @ 20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
6600pF @ 1000V, 3020pF @ 1000V
Мощность - Максимальная：
602W (Tc), 395W (Tc)
