MSCSM170HRM075NG
MOSFET 4N-CH 1700V/1200V 337A
MSCSM170HRM075NG Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Chassis Mount
Поставщик Устройство Корпус：
-
FET Особенности：
-
Корпус：
Module
Рабочая температура：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Технология：
Silicon Carbide (SiC)
Конфигурация：
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Напряжение сток-исток (Vdss)：
1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
337A (Tc), 317A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
7.5mOhm @ 180A, 20V, 7.8mOhm @ 160A, 20V
Vgs(th) (макс.) при Id：
3.2V @ 15mA, 2.8V @ 12mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
1068nC @ 20V, 928nC @ 20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
19800pF @ 1000V, 12100pF @ 1000V
Мощность - Максимальная：
1.492kW (Tc)
