MSCSM120AM042T6LIAG
MOSFET 2N-CH 1200V 495A
MSCSM120AM042T6LIAG Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Chassis Mount
Поставщик Устройство Корпус：
-
FET Особенности：
-
Корпус：
Module
Рабочая температура：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Технология：
Silicon Carbide (SiC)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
495A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Конфигурация：
2 N Channel (Phase Leg)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
5.2mOhm @ 240A, 20V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
1392nC @ 20V
Мощность - Максимальная：
2.031kW (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
18100pF @ 1000V
Vgs(th) (макс.) при Id：
2.8V @ 18mA
