MSCSM170HRM11NG
MOSFET 4N-CH 1700V/1200V 226A
MSCSM170HRM11NG 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Chassis Mount
供应商器件封装：
-
场效应晶体管特性：
-
封装 / 外壳：
Module
工作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
技术：
Silicon Carbide (SiC)
配置：
4 N-Channel (Three Level Inverter)
漏极至源极电压 (Vdss)：
1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
226A (Tc), 163A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
11.3mOhm @ 120A, 20V, 16mOhm @ 80A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
3.2V @ 10mA, 2.8V @ 6mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
712nC @ 20V, 464nC @ 20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
13200pF @ 1000V, 6040pF @ 1000V
最大功率：
1.012kW (Tc), 662W (Tc)
