MSCSM120HRM08NG
MOSFET 4N-CH 1200V/700V 317A
MSCSM120HRM08NG 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Chassis Mount
供应商器件封装：
-
场效应晶体管特性：
-
封装 / 外壳：
Module
工作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
技术：
Silicon Carbide (SiC)
配置：
4 N-Channel (Three Level Inverter)
漏极至源极电压 (Vdss)：
1200V (1.2kV), 700V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
317A (Tc), 227A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
7.8mOhm @ 160A, 20V, 9.5mOhm @ 80A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
2.8V @ 12mA, 2.4V @ 8mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
928nC @ 20V, 430nC @ 20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
12100pF @ 1000V, 9000pF @ 700V
最大功率：
1.253kW (Tc), 613W (Tc)
