MSCSM120X10CTYZBNMG
MOSFET 6N-CH 1200V 28A
MSCSM120X10CTYZBNMG 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Chassis Mount
供应商器件封装：
-
场效应晶体管特性：
-
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
封装 / 外壳：
Module
配置：
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
技术：
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
28A (Tc), 49A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
100mOhm @ 15A, 20V, 50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
2.8V @ 1mA, 2.7V @ 2mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
64nC @ 20V, 137nC @ 20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
838pF @ 1000V, 1990pF @ 1000V
最大功率：
116W (Tc), 196W (Tc)
