MSCSM120HRM311AG
MOSFET 4N-CH 1200V/700V 89A
MSCSM120HRM311AG 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Chassis Mount
供应商器件封装：
-
场效应晶体管特性：
-
封装 / 外壳：
Module
工作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
技术：
Silicon Carbide (SiC)
配置：
4 N-Channel (Three Level Inverter)
漏极至源极电压 (Vdss)：
1200V (1.2kV), 700V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
89A (Tc), 124A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
31mOhm @ 40A, 20V, 19mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
2.8V @ 3mA, 2.4V @ 4mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
232nC @ 20V, 215nC @ 20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
3020pF @ 1000V, 4500pF @ 700V
最大功率：
395W (Tc), 365W (Tc)
