MSCSM120DDUM16TBL3NG
MOSFET 4N-CH 1200V 150A
MSCSM120DDUM16TBL3NG 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Chassis Mount
供应商器件封装：
-
场效应晶体管特性：
-
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
封装 / 外壳：
Module
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
150A
技术：
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
最大功率：
560W
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
16mOhm @ 80A, 20V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
464nC @ 20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
6040pF @ 1000V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
2.8V @ 6mA
配置：
4 N-Channel, Common Source
