MSCSM120AM042T6LIAG
MOSFET 2N-CH 1200V 495A
MSCSM120AM042T6LIAG 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Chassis Mount
供应商器件封装：
-
场效应晶体管特性：
-
封装 / 外壳：
Module
工作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
技术：
Silicon Carbide (SiC)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
495A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
配置：
2 N Channel (Phase Leg)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
5.2mOhm @ 240A, 20V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
1392nC @ 20V
最大功率：
2.031kW (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
18100pF @ 1000V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
2.8V @ 18mA
