MSCSM70VR1M19C1AG
MOSFET 2N-CH 700V 124A
MSCSM70VR1M19C1AG Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Chassis Mount
공급업체 장치 패키지：
-
FET 피처：
-
패키지 / 케이스：
Module
작동 온도：
-40°C ~ 175°C (TJ)
기술：
Silicon Carbide (SiC)
컨피규레이션：
2 N Channel (Phase Leg)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
124A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
19mOhm @ 40A, 20V
드레인-소스 전압 (Vdss)：
700V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.4V @ 4mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
215nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
4500pF @ 700V
파워 - 최대：
365W (Tc)
