MSCSM120HRM08NG
MOSFET 4N-CH 1200V/700V 317A
MSCSM120HRM08NG Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Chassis Mount
공급업체 장치 패키지：
-
FET 피처：
-
패키지 / 케이스：
Module
작동 온도：
-40°C ~ 175°C (TJ)
기술：
Silicon Carbide (SiC)
컨피규레이션：
4 N-Channel (Three Level Inverter)
드레인-소스 전압 (Vdss)：
1200V (1.2kV), 700V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
317A (Tc), 227A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
7.8mOhm @ 160A, 20V, 9.5mOhm @ 80A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 12mA, 2.4V @ 8mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
928nC @ 20V, 430nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
12100pF @ 1000V, 9000pF @ 700V
파워 - 최대：
1.253kW (Tc), 613W (Tc)
