MSCSM170HRM233AG
MOSFET 4N-CH 1700V/1200V 124A
MSCSM170HRM233AG Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Chassis Mount
공급업체 장치 패키지：
-
FET 피처：
-
패키지 / 케이스：
Module
작동 온도：
-40°C ~ 175°C (TJ)
기술：
Silicon Carbide (SiC)
컨피규레이션：
4 N-Channel (Three Level Inverter)
드레인-소스 전압 (Vdss)：
1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
124A (Tc), 89A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
22.5mOhm @ 60A, 20V, 31mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3.2V @ 5mA, 2.8V @ 3mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
356nC @ 20V, 232nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
6600pF @ 1000V, 3020pF @ 1000V
파워 - 최대：
602W (Tc), 395W (Tc)
