MSCSM120X10CTYZBNMG
MOSFET 6N-CH 1200V 28A
MSCSM120X10CTYZBNMG Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Chassis Mount
공급업체 장치 패키지：
-
FET 피처：
-
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지 / 케이스：
Module
컨피규레이션：
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
기술：
Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
28A (Tc), 49A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 15A, 20V, 50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 1mA, 2.7V @ 2mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
64nC @ 20V, 137nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
838pF @ 1000V, 1990pF @ 1000V
파워 - 최대：
116W (Tc), 196W (Tc)
