MSCSM170HRM11NG
MOSFET 4N-CH 1700V/1200V 226A
MSCSM170HRM11NG Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Chassis Mount
공급업체 장치 패키지：
-
FET 피처：
-
패키지 / 케이스：
Module
작동 온도：
-40°C ~ 175°C (TJ)
기술：
Silicon Carbide (SiC)
컨피규레이션：
4 N-Channel (Three Level Inverter)
드레인-소스 전압 (Vdss)：
1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
226A (Tc), 163A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
11.3mOhm @ 120A, 20V, 16mOhm @ 80A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3.2V @ 10mA, 2.8V @ 6mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
712nC @ 20V, 464nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
13200pF @ 1000V, 6040pF @ 1000V
파워 - 최대：
1.012kW (Tc), 662W (Tc)
