MSCSM120VR1M31C1AG
MOSFET 2N-CH 1200V 89A
MSCSM120VR1M31C1AG Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Chassis Mount
공급업체 장치 패키지：
-
FET 피처：
-
패키지 / 케이스：
Module
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
89A (Tc)
작동 온도：
-40°C ~ 175°C (TJ)
기술：
Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
컨피규레이션：
2 N Channel (Phase Leg)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
31mOhm @ 40A, 20V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
232nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
3020pF @ 1000V
파워 - 최대：
395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 3mA
