MSCSM170HRM233AG
MOSFET 4N-CH 1700V/1200V 124A
MSCSM170HRM233AG Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ：
-
FETフィーチャー：
-
パッケージ / ケース：
Module
動作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
テクノロジー：
Silicon Carbide (SiC)
コンフィギュレーション：
4 N-Channel (Three Level Inverter)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
124A (Tc), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
22.5mOhm @ 60A, 20V, 31mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3.2V @ 5mA, 2.8V @ 3mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
356nC @ 20V, 232nC @ 20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
6600pF @ 1000V, 3020pF @ 1000V
パワー - 最大：
602W (Tc), 395W (Tc)
