MSCSM120HRM311AG
MOSFET 4N-CH 1200V/700V 89A
MSCSM120HRM311AG Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ：
-
FETフィーチャー：
-
パッケージ / ケース：
Module
動作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
テクノロジー：
Silicon Carbide (SiC)
コンフィギュレーション：
4 N-Channel (Three Level Inverter)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
1200V (1.2kV), 700V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
89A (Tc), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
31mOhm @ 40A, 20V, 19mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 3mA, 2.4V @ 4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
232nC @ 20V, 215nC @ 20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
3020pF @ 1000V, 4500pF @ 700V
パワー - 最大：
395W (Tc), 365W (Tc)
