MSCSM170HRM11NG
MOSFET 4N-CH 1700V/1200V 226A
MSCSM170HRM11NG Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ：
-
FETフィーチャー：
-
パッケージ / ケース：
Module
動作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
テクノロジー：
Silicon Carbide (SiC)
コンフィギュレーション：
4 N-Channel (Three Level Inverter)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
226A (Tc), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
11.3mOhm @ 120A, 20V, 16mOhm @ 80A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3.2V @ 10mA, 2.8V @ 6mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
712nC @ 20V, 464nC @ 20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
13200pF @ 1000V, 6040pF @ 1000V
パワー - 最大：
1.012kW (Tc), 662W (Tc)
