MSCSM120X10CTYZBNMG
MOSFET 6N-CH 1200V 28A
MSCSM120X10CTYZBNMG Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ：
-
FETフィーチャー：
-
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
パッケージ / ケース：
Module
コンフィギュレーション：
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
テクノロジー：
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
28A (Tc), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 15A, 20V, 50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 1mA, 2.7V @ 2mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
64nC @ 20V, 137nC @ 20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
838pF @ 1000V, 1990pF @ 1000V
パワー - 最大：
116W (Tc), 196W (Tc)
