MSCSM120VR1M11CT6AG
MOSFET 2N-CH 1200V 251A
MSCSM120VR1M11CT6AG Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ：
-
FETフィーチャー：
-
パッケージ / ケース：
Module
動作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
テクノロジー：
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
コンフィギュレーション：
2 N Channel (Phase Leg)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
10.4mOhm @ 120A, 20V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
696nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 9mA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
251A (Tc)
パワー - 最大：
1.042kW (Tc)
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
9000pF @ 1000V
