MSCSM120HM063AG
MOSFET 4N-CH 1200V 333A
MSCSM120HM063AG Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ：
-
FETフィーチャー：
-
パッケージ / ケース：
Module
動作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
コンフィギュレーション：
4 N-Channel (Full Bridge)
テクノロジー：
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
928nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 12mA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
7.8mOhm @ 80A, 20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
12000pF @ 1000V
パワー - 最大：
873W (Tc)
