MSCSM120DUM31TBL1NG
MOSFET 2N-CH 1200V 79A
MSCSM120DUM31TBL1NG Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ：
-
FETフィーチャー：
-
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
パッケージ / ケース：
Module
コンフィギュレーション：
2 N-Channel (Dual) Common Source
テクノロジー：
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
31mOhm @ 40A, 20V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
232nC @ 20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
3020pF @ 1000V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 3mA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
79A
パワー - 最大：
310W
