MSCSM120DDUM16TBL3NG
MOSFET 4N-CH 1200V 150A
MSCSM120DDUM16TBL3NG Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ：
-
FETフィーチャー：
-
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
パッケージ / ケース：
Module
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
150A
テクノロジー：
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
パワー - 最大：
560W
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
16mOhm @ 80A, 20V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
464nC @ 20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
6040pF @ 1000V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 6mA
コンフィギュレーション：
4 N-Channel, Common Source
