MSCSM70VR1M10CTPAG
MOSFET 6N-CH 700V 238A
MSCSM70VR1M10CTPAG Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage：
-
FET Caractéristique：
-
Boîtier：
Module
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)：
700V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
9.5mOhm @ 80A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.4V @ 8mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
430nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
9000pF @ 700V
Puissance - Max：
674W (Tc)
Configuration：
6 N-Channel (Phase Leg)
