MSCSM120HRM08NG
MOSFET 4N-CH 1200V/700V 317A
MSCSM120HRM08NG Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage：
-
FET Caractéristique：
-
Boîtier：
Module
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Configuration：
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Tension Drain-Source (Vdss)：
1200V (1.2kV), 700V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
317A (Tc), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
7.8mOhm @ 160A, 20V, 9.5mOhm @ 80A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 12mA, 2.4V @ 8mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
928nC @ 20V, 430nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
12100pF @ 1000V, 9000pF @ 700V
Puissance - Max：
1.253kW (Tc), 613W (Tc)
