MSCSM170HRM451AG
MOSFET 4N-CH 1700V/1200V 64A
MSCSM170HRM451AG Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage：
-
FET Caractéristique：
-
Boîtier：
Module
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Configuration：
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Tension Drain-Source (Vdss)：
1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
64A (Tc), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
45mOhm @ 30A, 20V, 31mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3.2V @ 2.5mA, 2.8V @ 3mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
178nC @ 20V, 232nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
3300pF @ 1000V, 3020pF @ 1000V
Puissance - Max：
319W (Tc), 395W (Tc)
