MSCSM120HRM311AG
MOSFET 4N-CH 1200V/700V 89A
MSCSM120HRM311AG Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage：
-
FET Caractéristique：
-
Boîtier：
Module
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Configuration：
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Tension Drain-Source (Vdss)：
1200V (1.2kV), 700V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
89A (Tc), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
31mOhm @ 40A, 20V, 19mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 3mA, 2.4V @ 4mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
232nC @ 20V, 215nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
3020pF @ 1000V, 4500pF @ 700V
Puissance - Max：
395W (Tc), 365W (Tc)
