MSCSM70HM05AG
MOSFET 4N-CH 700V 349A
MSCSM70HM05AG Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage：
-
FET Caractéristique：
-
Boîtier：
Module
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration：
4 N-Channel (Full Bridge)
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)：
700V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
6.4mOhm @ 120A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.4V @ 12mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
645nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
13500pF @ 700V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
349A (Tc)
Puissance - Max：
966W (Tc)
