MSCSM120VR1M11CT6AG
MOSFET 2N-CH 1200V 251A
MSCSM120VR1M11CT6AG Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage：
-
FET Caractéristique：
-
Boîtier：
Module
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Configuration：
2 N Channel (Phase Leg)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
10.4mOhm @ 120A, 20V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
696nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 9mA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
251A (Tc)
Puissance - Max：
1.042kW (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
9000pF @ 1000V
