MSCSM120VR1M062CT6AG
MOSFET 2N-CH 1200V 420A
MSCSM120VR1M062CT6AG Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage：
-
FET Caractéristique：
-
Boîtier：
Module
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
420A (Tc)
Configuration：
2 N Channel (Phase Leg)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
6.2mOhm @ 200A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 15mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
1160nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
15100pF @ 1000V
Puissance - Max：
1.753kW (Tc)
