MSCSM120HM063AG
MOSFET 4N-CH 1200V 333A
MSCSM120HM063AG Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage：
-
FET Caractéristique：
-
Boîtier：
Module
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration：
4 N-Channel (Full Bridge)
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
928nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 12mA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
7.8mOhm @ 80A, 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
12000pF @ 1000V
Puissance - Max：
873W (Tc)
