MSCSM120DDUM31TBL2NG
MOSFET 4N-CH 1200V 79A
MSCSM120DDUM31TBL2NG Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage：
-
FET Caractéristique：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Boîtier：
Module
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Tension Drain-Source (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
31mOhm @ 40A, 20V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
232nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
3020pF @ 1000V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 3mA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
79A
Puissance - Max：
310W
Configuration：
4 N-Channel, Common Source
