MSCSM120AM042T6LIAG
MOSFET 2N-CH 1200V 495A
MSCSM120AM042T6LIAG Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage：
-
FET Caractéristique：
-
Boîtier：
Module
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Technologie：
Silicon Carbide (SiC)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
495A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Configuration：
2 N Channel (Phase Leg)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
5.2mOhm @ 240A, 20V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
1392nC @ 20V
Puissance - Max：
2.031kW (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
18100pF @ 1000V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 18mA
