MSCSM70VR1M10CTPAG
MOSFET 6N-CH 700V 238A
MSCSM70VR1M10CTPAG Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
Proveedor Dispositivo Paquete：
-
FET Característica：
-
Paquete / Carcasa：
Module
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología：
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
700V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
238A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
9.5mOhm @ 80A, 20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
2.4V @ 8mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
430nC @ 20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
9000pF @ 700V
Potencia - Máx：
674W (Tc)
Configuración：
6 N-Channel (Phase Leg)
