MSCSM120HRM08NG
MOSFET 4N-CH 1200V/700V 317A
MSCSM120HRM08NG Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
Proveedor Dispositivo Paquete：
-
FET Característica：
-
Paquete / Carcasa：
Module
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología：
Silicon Carbide (SiC)
Configuración：
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
1200V (1.2kV), 700V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
317A (Tc), 227A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
7.8mOhm @ 160A, 20V, 9.5mOhm @ 80A, 20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
2.8V @ 12mA, 2.4V @ 8mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
928nC @ 20V, 430nC @ 20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
12100pF @ 1000V, 9000pF @ 700V
Potencia - Máx：
1.253kW (Tc), 613W (Tc)
