MSCSM120X10CTYZBNMG
MOSFET 6N-CH 1200V 28A
MSCSM120X10CTYZBNMG Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
Proveedor Dispositivo Paquete：
-
FET Característica：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Carcasa：
Module
Configuración：
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Tecnología：
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
28A (Tc), 49A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 15A, 20V, 50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
2.8V @ 1mA, 2.7V @ 2mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
64nC @ 20V, 137nC @ 20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
838pF @ 1000V, 1990pF @ 1000V
Potencia - Máx：
116W (Tc), 196W (Tc)
