MSCSM120HRM311AG
MOSFET 4N-CH 1200V/700V 89A
MSCSM120HRM311AG Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
Proveedor Dispositivo Paquete：
-
FET Característica：
-
Paquete / Carcasa：
Module
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología：
Silicon Carbide (SiC)
Configuración：
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
1200V (1.2kV), 700V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
89A (Tc), 124A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
31mOhm @ 40A, 20V, 19mOhm @ 40A, 20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
2.8V @ 3mA, 2.4V @ 4mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
232nC @ 20V, 215nC @ 20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
3020pF @ 1000V, 4500pF @ 700V
Potencia - Máx：
395W (Tc), 365W (Tc)
