MSCSM70HM05AG
MOSFET 4N-CH 700V 349A
MSCSM70HM05AG Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
Proveedor Dispositivo Paquete：
-
FET Característica：
-
Paquete / Carcasa：
Module
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configuración：
4 N-Channel (Full Bridge)
Tecnología：
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
700V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
6.4mOhm @ 120A, 20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
2.4V @ 12mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
645nC @ 20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
13500pF @ 700V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
349A (Tc)
Potencia - Máx：
966W (Tc)
