MSCSM170HRM075NG
MOSFET 4N-CH 1700V/1200V 337A
MSCSM170HRM075NG Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
Proveedor Dispositivo Paquete：
-
FET Característica：
-
Paquete / Carcasa：
Module
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología：
Silicon Carbide (SiC)
Configuración：
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
337A (Tc), 317A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
7.5mOhm @ 180A, 20V, 7.8mOhm @ 160A, 20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
3.2V @ 15mA, 2.8V @ 12mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
1068nC @ 20V, 928nC @ 20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
19800pF @ 1000V, 12100pF @ 1000V
Potencia - Máx：
1.492kW (Tc)
