MSCSM120VR1M062CT6AG
MOSFET 2N-CH 1200V 420A
MSCSM120VR1M062CT6AG Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
Proveedor Dispositivo Paquete：
-
FET Característica：
-
Paquete / Carcasa：
Module
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología：
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
420A (Tc)
Configuración：
2 N Channel (Phase Leg)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
6.2mOhm @ 200A, 20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
2.8V @ 15mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
1160nC @ 20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
15100pF @ 1000V
Potencia - Máx：
1.753kW (Tc)
