MSCSM120HM063AG
MOSFET 4N-CH 1200V 333A
MSCSM120HM063AG Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
Proveedor Dispositivo Paquete：
-
FET Característica：
-
Paquete / Carcasa：
Module
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configuración：
4 N-Channel (Full Bridge)
Tecnología：
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
928nC @ 20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
2.8V @ 12mA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
333A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
7.8mOhm @ 80A, 20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
12000pF @ 1000V
Potencia - Máx：
873W (Tc)
