MSCSM120DDUM31TBL2NG
MOSFET 4N-CH 1200V 79A
MSCSM120DDUM31TBL2NG Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
Proveedor Dispositivo Paquete：
-
FET Característica：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Carcasa：
Module
Tecnología：
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
31mOhm @ 40A, 20V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
232nC @ 20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
3020pF @ 1000V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
2.8V @ 3mA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
79A
Potencia - Máx：
310W
Configuración：
4 N-Channel, Common Source
