MSCSM120DDUM16TBL3NG
MOSFET 4N-CH 1200V 150A
MSCSM120DDUM16TBL3NG Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
Proveedor Dispositivo Paquete：
-
FET Característica：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Carcasa：
Module
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
150A
Tecnología：
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Potencia - Máx：
560W
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
16mOhm @ 80A, 20V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
464nC @ 20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
6040pF @ 1000V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
2.8V @ 6mA
Configuración：
4 N-Channel, Common Source
