MSCSM120AM042T6LIAG
MOSFET 2N-CH 1200V 495A
MSCSM120AM042T6LIAG Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Chassis Mount
Proveedor Dispositivo Paquete：
-
FET Característica：
-
Paquete / Carcasa：
Module
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología：
Silicon Carbide (SiC)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
495A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Configuración：
2 N Channel (Phase Leg)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
5.2mOhm @ 240A, 20V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
1392nC @ 20V
Potencia - Máx：
2.031kW (Tc)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
18100pF @ 1000V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
2.8V @ 18mA
