MSCSM120VR1M16CTPAG
MOSFET 6N-CH 1200V 171A
MSCSM120VR1M16CTPAG Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Chassis Mount
Supplier Device Package：
-
FET Feature：
-
Package / Case：
Module
Operating Temperature：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Technology：
Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
16mOhm @ 80A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
464nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
6040pF @ 1000V
Power - Max：
728W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 6mA
Configuration：
6 N-Channel (Phase Leg)
