MSCSM120VR1M11CT6AG
MOSFET 2N-CH 1200V 251A
MSCSM120VR1M11CT6AG Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Chassis Mount
Supplier Device Package：
-
FET Feature：
-
Package / Case：
Module
Operating Temperature：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Technology：
Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Configuration：
2 N Channel (Phase Leg)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
10.4mOhm @ 120A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
696nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 9mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
251A (Tc)
Power - Max：
1.042kW (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
9000pF @ 1000V
